Micron* и Intel представляют новую флеш-память 3D NAND
БОЙСЕ (Айдахо) и САНТА-КЛАРА (Калифорния), 26 марта 2015 г. — Micron Technology, Inc.* и Intel сегодня объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флеш-память с самым высоким в мире уровнем плотности размещения ячеек памяти. Флеш-память — это способ хранения данных, который используется в самых легких ноутбуках, самых быстрых центрах обработки данных и практически в каждом сотовом телефоне, планшете и мобильном устройстве.