Москва, 17 октября 2016 г. — Компания Samsung Electronics, глобальный лидер в сфере передовых полупроводниковых технологий, объявила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы System-on-Chip (SoC) по техпроцессу 10-нм FinFET.
Первое в мире решение по техпроцессу 10-нм FinFET будет представлено в начале 2017 года
«Первый на рынке серийное решение по техпроцессу 10-нм FinFET подтверждает наше лидерство в разработке передовых технологий, — сказал Ён Щи-юн, исполнительный вице-президент, руководитель подразделения производства полупроводников Samsung Electronics. — Мы продолжим прикладывать все усилия к тому, чтобы создавать инновационные масштабируемые технологии и предоставлять пользователям дифференцированные комплексные решения».
Новый процессор Samsung 10-нм FinFET (10LPE) имеет передовую транзисторную 3D-структуру. Его операционная технология и дизайн были улучшены по сравнению с предыдущей версией 14-нм, что обеспечивает на 30% более высокую удельную эффективность поверхности, рост производительности на 40%, а также снижение энергопотребления на 40%. Для снятия ограничений масштабирования в новом решении используются новейшее техническое решение — тройное структурирование. Оно обеспечивает двустороннюю маршрутизацию для поддержания большей гибкости в дизайне и роутинге по сравнению с предыдущими моделями.
Ранее Samsung представила первое поколение решений по техпроцессу 10-нм (10LPE). Второе поколение (10LPP) обладает улучшенной производительностью, старт его массового производства намечен на вторую половину 2017 года.
В плотном сотрудничестве с партнерами Samsung также намерена создать функциональную полупроводниковую экосистему, которая объединит средства проверки эталонного потока, IP и библиотеки. Для запуска архитектуры на данный момент доступны набор разработки производственного процесса (PDK) и набор разработки IP.
Система SoC по техпроцессу 10-нм будет использоваться в цифровых устройствах с начала следующего года. Ожидается, что они станут доступны массовому потребителю в течение 2017 года.
Комментарии