Оперативная память Kingston 4GB PC21300 DDR4 CL19 (KVR26N19S6/4)
Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 2666 МГц - Поддерживаемые режимы работы: 1600, 1866, 2133, 2400, 2666 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: DIMM - Пропускная способность: 21300 Мб/с - Режим работы памяти: Dual Mode Модуль- Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL19 - RAS to CAS Delay (tRCD): tRCD19 - Row Precharge Delay (tRP): tRP19 - Activate to Precharge Delay (tRAS): tRAS32 Электропитание- Напряжение питания: 1.2 В Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Количество контактов: 288-pin - Тип поставки: Ret Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый Размеры и вес- Высота: 3.125 см - Ширина: 13.335 см
Похожие модели
2 504 руб
Оперативная память Transcend JM2666HSB-8G - DDR4 2666 (PC 21300) SODIMM 260 pin, 1x8 ГБ, 1.2 В, CL 19
2 290 руб
260-pin; частота: 3200; латентность: CL19; форм-фактор: SO-DIMM; тип поставки: OEM
2 220 руб
Оперативная память Samsung Original M471A5244CB0-CRCD0 произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее надежность. Данная память относится к стандарту DDR4, ключевы...
2 324 руб
8GB, DDR4 DIMM, 2400MHz, CL 17.
2 598 руб
1 модуль памяти, DDR3L SO-DIMM, 8Гб, 1600МГц, CL11.
2 607 руб
Foxline FL2400D4U17-8G - DDR4 2400 (PC 19200) DIMM 288 pin, 1x8 Гб, 1.2 В, CL 17
2 283 руб
Transcend TS512MSK64V6H - DDR3 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 11
2 153 руб
1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5.