Samsung
- Полное название
- Samsung Electronics Co., Ltd
- Официальный сайт
- https://www.samsung.com
- Страна
- Южная Корея
- Телефон
- (495) 783-73-03
Накопитель SSD 250 Гб Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW) SATA 2.5" Черный
4 350 руб
Форм-фактор: SATA 2.5"/ Объем: 250Гб/ Флэш-память: MLC/ Чтение: 560 Мб.сек/ Запись: 530 Мб.сек/ Интерфейс: SATA-III/ Код: MZ-77E250BW
Накопитель SSD 250 Гб Samsung 860 EVO (MZ-N6E250BW) M.2 2280
5 333 руб
Форм-фактор: M.2 2280/ Объем: 250Гб/ Флэш-память: TLC/ Чтение: 550 Мб.сек/ Запись: 520 Мб.сек/ Интерфейс: SATA-III/ Код: MZ-N6E250BW
SSD накопители SAMSUNG накопитель 970 PRO MZ-V7P512BW 512ГБ, M.2 2280, PCI-E x4, NVMe
12 490 руб
скорость чтения, до: 3500МБ/с; скорость записи, до: 2300МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: 3D MLC; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 600 ТБ; поддержка NVMe
Внешний накопитель SSD 2 Тб Samsung T7 Touch (MU-PC2T0S/WW) USB Type C, серебристый
32 383 руб
Форм-фактор: 2.5"/ Объем: 2 Тб/ Интерфейс: USB Type-C / Код: MU-PC2T0S/WW
SSD накопители SAMSUNG накопитель 980 MZ-V8V500BW 500ГБ, M.2 2280, PCI-E x4, NVMe
6 290 руб
скорость чтения, до: 3100МБ/с; скорость записи, до: 2600МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 300 ТБ; поддержка NVMe
SSD накопители SAMSUNG накопитель 980 PRO MZ-V8P1T0BW 1ТБ, M.2 2280, PCI-E 4.0 x4, NVMe
17 990 руб
скорость чтения, до: 7000МБ/с; скорость записи, до: 5000МБ/с; интерфейс: PCI-E 4.0 x4; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: M.2 2280; поддержка NVMe
SSD накопители SAMSUNG накопитель 870 QVO MZ-77Q4T0BW 4ТБ, 2.5", SATA III
35 990 руб
скорость чтения, до: 560МБ/с; скорость записи, до: 530МБ/с; толщина - 6.8мм; интерфейс: SATA III; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: 2.5"; TBW: 1440 ТБ
SSD накопители SAMSUNG накопитель 870 QVO MZ-77Q8T0BW 8ТБ, 2.5", SATA III
71 990 руб
скорость чтения, до: 560МБ/с; скорость записи, до: 530МБ/с; толщина - 6.8мм; интерфейс: SATA III; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: 2.5"; TBW: 2880 ТБ
SSD накопители SAMSUNG накопитель 980 PRO MZ-V8P2T0BW 2ТБ, M.2 2280, PCI-E x4, NVMe
34 990 руб
скорость чтения, до: 7000МБ/с; скорость записи, до: 5100МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 1200 ТБ; поддержка NVMe